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功率VMOS器件的参数最佳折衷
功率VMOS器件的参数最佳折衷
作者:
徐国治
潘志斌
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VMOS器件
参数
CAD
摘要:
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篇名
功率VMOS器件的参数最佳折衷
来源期刊
半导体杂志
学科
工学
关键词
VMOS器件
参数
CAD
年,卷(期)
1989,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
9-10
页数
2页
分类号
TN386.1
字数
语种
DOI
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VMOS器件
参数
CAD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
主办单位:
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
出版周期:
季刊
ISSN:
1005-3077
CN:
12-1134/TN
开本:
16开
出版地:
天津市河西区陈塘庄岩峰路
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
总被引数(次)
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