Pd—MOSFET稳定性研究

吴功园; 滑春生

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Pd—MOSFET稳定性研究

作者：

吴功园滑春生

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MOSFET

稳定性

氢气

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文献信息

篇名	Pd—MOSFET稳定性研究
来源期刊	电子	学科	工学
关键词	MOSFET 稳定性氢气敏感器件
年，卷（期）	1990,（1）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	13-16
页数	4页	分类号	TN379
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