电子陶瓷中的晶界（I）

• 作者: 敖海宽 祝炳和
• 来源期刊: 上海硅酸盐
• 学科: 工学
• 关键词: 电子陶瓷 晶界 陶瓷材料
• 年，卷（期）: 1990,（1）
• 页码范围: 1-13
• 页数: 13页
• 分类号: TQ174.756

摘要

讨论了电子陶瓷材料中晶界的有关诸方面：晶界的无序结构、晶界偏析、晶界的开放结构和扩散、晶界的高能性质及对成畴和畴前进的关系、晶界的粘弹性性质及其对应力应变的可容纳性、晶界的空间电荷层、晶界迁移和晶界附近处的无气孔区。存在两种类型的晶界：即垂直及平行于外场的晶界和张应力及压应力晶界。最后举例讨论了晶界对材料性质的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝炳和	中国科学院上海硅酸研究所	7	69	4.0	7.0
2	敖海宽	中国科学院上海硅酸研究所	2	4	1.0	2.0