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摘要:
利用光散射和电子显微镜技术,对β-Si3N4的结构和形貌进行了研究和观察。结果指出:β-Si3N4的Raman光谱由188、210、230、480、624、865、930、936、1047cm^-1峰组成,其中480cm^-1附近的宽峰可归结为a-Si的Si-Si键振动。β-Si3N4呈透明片状堆积。
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SiC晶须
长柱状β-Si3N4
分隔层
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 β—Si3N4的Raman光谱研究
来源期刊 上海硅酸盐 学科 工学
关键词 RAMAN光谱 Β-SI3N4 氮化硅陶瓷
年,卷(期) 1990,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-51
页数 4页 分类号 TQ174.748
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈祥生 中国科学院上海硅酸盐研究所 1 0 0.0 0.0
2 金宜芬 中国科学院上海硅酸盐研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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1990(0)
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研究主题发展历程
节点文献
RAMAN光谱
Β-SI3N4
氮化硅陶瓷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海硅酸盐
季刊
31-1236/TQ
上海市定西路1295号
出版文献量(篇)
295
总下载数(次)
2
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