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β—Si3N4的Raman光谱研究
β—Si3N4的Raman光谱研究
作者:
金宜芬
陈祥生
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
RAMAN光谱
Β-SI3N4
氮化硅陶瓷
摘要:
利用光散射和电子显微镜技术,对β-Si3N4的结构和形貌进行了研究和观察。结果指出:β-Si3N4的Raman光谱由188、210、230、480、624、865、930、936、1047cm^-1峰组成,其中480cm^-1附近的宽峰可归结为a-Si的Si-Si键振动。β-Si3N4呈透明片状堆积。
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文献信息
篇名
β—Si3N4的Raman光谱研究
来源期刊
上海硅酸盐
学科
工学
关键词
RAMAN光谱
Β-SI3N4
氮化硅陶瓷
年,卷(期)
1990,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
48-51
页数
4页
分类号
TQ174.748
字数
语种
DOI
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姓名
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发文数
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G指数
1
陈祥生
中国科学院上海硅酸盐研究所
1
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金宜芬
中国科学院上海硅酸盐研究所
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Β-SI3N4
氮化硅陶瓷
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
上海硅酸盐
主办单位:
上海市硅酸盐学会
出版周期:
季刊
ISSN:
CN:
31-1236/TQ
开本:
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
295
总下载数(次)
2
总被引数(次)
0
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