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(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
V/Ш比
表面形貌
光学特性
(111)A
InGaAsP
基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长
异质外延
InP
GaAs
MOCVD
低温缓冲层
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金属有机化学气相沉积
InP/GaInAsP
分布布喇格反射结构
基于InP衬底的晶格失配In0.68Ga0.32As的MOCVD生长及其特性研究
In0.68Ga0.32As
应力释放
InAsxP1-x
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外延层
INP
化学气相淀积
MOCVD
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研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
薄膜科学与技术
主办单位：
南京电子器件研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
南京1601信箱43分箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
327
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