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900MHz低噪声放大器的分析与设计
射频微波集成电路
低噪声放大器
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GSM
900MHz
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缓冲区
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移相器
微波技术
直线加速器
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 在900MHz下工作的高功率高增益VDMOSFET
来源期刊 电子 学科 工学
关键词 VDMOSFET 场效应晶体管
年,卷(期) 1991,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 28-32
页数 5页 分类号 TN386.1
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DOI
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1991(0)
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研究主题发展历程
节点文献
VDMOSFET
场效应晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子
双月刊
北京市23信箱22分箱
出版文献量(篇)
77
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