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摘要:
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SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
绝缘体上硅
热载流子注入效应
失效机理
可靠性
部分耗尽SOI工艺器件辐射效应的研究
SOI
辐射效应
单粒子翻转
总剂量效应
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
总剂量辐照效应
退火效应
可靠性
SOI 器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究
瞬时剂量率效应
半导体SOI器件
激光模拟技术
瞬时光电流
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SOI MOSFET器件中的“Kink 效应”及有关现象
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 SOI-MOSFET KINK效应 场效应晶体管
年,卷(期) bdtzz_1992,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-24
页数 5页 分类号 TN386.3
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1992(0)
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研究主题发展历程
节点文献
SOI-MOSFET
KINK效应
场效应晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
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