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摘要:
利用玉米根尖染色体畸变和微核率的分析方法,检测高压静电场的诱变效应。结果表明:在300kV/m 的电场强度下,辐照2,4,6,8h 后,各处理组的染色体畸变率和微核率均明显高于对照组,并有随辐照剂量增大而提高的趋势。
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染色体畸变率
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文献信息
篇名 静电诱发玉米根尖细胞染色体畸变效应的研究
来源期刊 核农学通报 学科 农学
关键词 高压静电场 玉米 染色体畸变 育种
年,卷(期) hnxtb_1992,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 156-158
页数 3页 分类号 S513.035.2
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研究主题发展历程
节点文献
高压静电场
玉米
染色体畸变
育种
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核农学通报
双月刊
1001-1676
11-2266/S
16开
北京市5109信箱
1980
chi
出版文献量(篇)
725
总下载数(次)
61072
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