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用1MeV离子注入和自对准TiSi2制造的高抗...
用1MeV离子注入和自对准TiSi2制造的高抗...
作者:
Lai,J
柯之江
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集成电路
CMOS
自对准
离子注入
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篇名
用1MeV离子注入和自对准TiSi2制造的高抗...
来源期刊
江南半导体通讯
学科
工学
关键词
集成电路
CMOS
自对准
离子注入
年,卷(期)
1992,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
59-70
页数
12页
分类号
TN432.05
字数
语种
中文
DOI
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研究来源
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期刊影响力
江南半导体通讯
主办单位:
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
江苏省无锡市105信箱微电子技术编辑部
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
141
总下载数(次)
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