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[La(Phen)2(NO3)2(H2O)2]ClO4·2Phen·H2O的合成与晶体结构
镧(Ⅲ)配合物
邻菲咯啉
晶体结构
Fe^2+催化H2O2、S2O8^2-、S2O8^2--H2O2降解橙黄G
硫酸根自由基
橙黄G
过硫酸钠
过氧化氢
配合物[Zn(BCBI)2(H2O)4]·2H2O的合成及其晶体结构
1,3-二羧甲基苯并咪唑
Zn(Ⅱ)
配合物
合成
晶体结构
Ti(Ⅳ)催化H2O2/O3降解乙酸
臭氧
Ti(Ⅳ)
H2O2
乙酸
降解
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 H2SO4—H2O2—H2O对GaAs晶片的择优腐蚀
来源期刊 山东半导体技术 学科 工学
关键词 砷化镓 晶片 激光器
年,卷(期) sdbdtjs_1993,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 11-13
页数 3页 分类号 TN248.4
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1993(0)
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓
晶片
激光器
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
山东半导体技术
季刊
济南市和平路55号
出版文献量(篇)
79
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