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长波红外成像HgCdTe和GaAs/GaAlAs技术评价
长波红外成像HgCdTe和GaAs/GaAlAs技术评价
作者:
任延同
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红外成像
探测器
阵列
摘要:
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篇名
长波红外成像HgCdTe和GaAs/GaAlAs技术评价
来源期刊
光机电世界
学科
工学
关键词
红外成像
探测器
阵列
年,卷(期)
1993,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
33-34
页数
2页
分类号
TN215
字数
语种
中文
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光机电世界
主办单位:
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
CN 22-1142/TH
开本:
出版地:
长春市1024信箱
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语种:
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195
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