近晶液晶相变的突变模型

• 作者: 裴东河 黄锡珉
• 来源期刊: 液晶通讯
• 学科: 物理学
• 关键词: 液晶 相变 近晶型 突变模型
• 年，卷（期）: 1993,（1）
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O753.2

摘要

本文描述在近晶型液晶中SmA—SmC相变过程的突变模型。用Landau自由能表示体系的势函数F、F变量有序参数P、温度T和磁场强度H,用这些变量建立三维相空间的突变模型,得到二个稳定区和一个亚稳区的相空间,当H取为常数,得到三维相变即SmA—SmC的二级相变,其结果与C.C.Huang等人研究结果一致。在三维相空间中不同相变途径得到连续变化、弱连续变化或尖点突变的不连续变化。利用突变模型可以预测体系的状态变化,本文结果对液晶相变本质的研究具有极其重大意义。