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摘要:
a Si TFT 是有源矩液晶显示器件的关键元件,为了得到最佳的特性,除了改进用于制造a Si TFT的材料外,a Si TFT的几何结构达到最佳化是非常重要的。显然,a-Si TFT激活层的厚度效应应当被考虑。在本文中,在两个方面研究了a-Si TFT激活层的厚度效应,即弱场情况和常带宽状态或是费米能级移动密度减小方向的情况。详尽的讨论表明a-Si TFT的关态电流,开态电流以阈值电压等特性不仅与材料特性相关,而且与a-Si TFT结构设计紧密相关。
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文献信息
篇名 激活层厚度对a—SiTFT特性的影响
来源期刊 液晶通讯 学科 工学
关键词 液晶显示器 A-SITFT 激活层 厚度
年,卷(期) 1994,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 30-33
页数 4页 分类号 TN141.9
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液晶显示器
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