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SiO2驻极体界面陷井的电荷捕获特性

SiO2驻极体界面陷井的电荷捕获特性

作者：

黄晓琴

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二氧化硅

界面陷井

电荷捕获

摘要：

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文献信息

篇名	SiO2驻极体界面陷井的电荷捕获特性
来源期刊	应用电声技术	学科	工学
关键词	二氧化硅界面陷井电荷捕获
年，卷（期）	1994,（2）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	12-13
页数	2页	分类号	TN304.21
字数		语种
DOI

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