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ICB技术生长GaAs/Si的某些特性
ICB技术生长GaAs/Si的某些特性
作者:
余怀之
冯德伸
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离子集团
砷化镓
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篇名
ICB技术生长GaAs/Si的某些特性
来源期刊
薄膜科学与技术
学科
物理学
关键词
离子集团
砷化镓
硅
薄膜
成核
生长
年,卷(期)
1995,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
147-152
页数
6页
分类号
O484.1
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薄膜科学与技术
主办单位:
南京电子器件研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
南京1601信箱43分箱
邮发代号:
创刊时间:
语种:
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327
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