SIMOX隐埋氧化层针孔形成过程的计算机模拟分析

• 作者: 林成鲁 竺士扬
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX BOX 针孔 计算机模拟 硅 集成电路 氧化层
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.5

摘要

ＳＩＭＯＸ材料埋氧化经层的针孔密度是标定其质量的一个重要参数。本文用改进的二维ＩＲＩＳ程序模拟分析了当注放的硅片表面存在阻挡物时，注入后氧在硅片内的分布，提出也引起针孔的杂擀临界颗粒尺寸的概念。