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GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响
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欧姆接触
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高电子迁移率晶体管
欧姆接触
退火
比接触电阻率
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
InGaAs/InP
单光子雪崩光电二极管
顶层
掺杂浓度
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 顶层掺杂对InP—HEMT欧姆接触的影响
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 掺杂 InP-HEMT结构 接触电阻 INP
年,卷(期) 1995,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17
页数 1页 分类号 TN304.23
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
掺杂
InP-HEMT结构
接触电阻
INP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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