反铁电液晶正铁电相的介质分散

• 作者: 邸建华
• 来源期刊: 液晶通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 液晶 反铁电液晶 正铁电相 介电特性
• 年，卷（期）: 1995,（1）
• 页码范围: 58-64
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.9

摘要

我们研究了反铁电液晶（R）－1－甲基庚基－4（4”－n-十二烷基氧联苯－4' 碳烃氧基）－3－氧－苯甲酸盐铁电SmC ·相和正铁电SmCr 相的介电特性。对于S mCr相，在实验的频率范围内判别出3种介质张驰。低频下具有高介质损耗的2种驰过程归因于锥角φ附近分子的方位变化。这些驰豫现象与温度和外加偏置电场间有函数关系。除了2个低频损 耗过程外，还观察到一个额外的、强度较弱的损耗过程。