金属半导体氧化物气敏性能研究进展

• 作者: 吴一平 姜涛
• 来源期刊: 信息与开发
• 学科: 工学
• 关键词: MOS 灵敏度 金属氧化物 半导体 气敏性能
• 年，卷（期）: xxykf_1995,（4）
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21

摘要

简介金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术，探讨了掺杂作用的机理，列举对最典型半导体气敏元件的掺杂和对其灵敏度和选择性的影响作用。