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摘要:
通过构造导体表面电荷层分布模型,运用Poisson方程求解,消除了导体表面电场强芭蜚 单值矛盾,并由此推导出σ(k)函数。避免了文献(1)(2)利用Landlace方程推导σ(k)函数所导致的定义域非同一困难。从而完善了文献(1)(2)的σ(k)函数的推导方法。孤立带电导体表面电荷面密度σ(k)与该处表面曲率K的函数关系的研究,是静电理论长期争论的问题之一。文献(1)(2)讨论研究的σ(k)与该处
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文献信息
篇名 《孤立导体电荷面密度函数σ(k)的电荷层分布模型推导》
来源期刊 静电 学科 工学
关键词 孤立导体 电荷面密度 函数 电荷层分布模型
年,卷(期) jd_1995,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 59-61
页数 3页 分类号 TM151
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研究主题发展历程
节点文献
孤立导体
电荷面密度
函数
电荷层分布模型
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相关学者/机构
期刊影响力
静电
季刊
12-1078/TB
天津市河北区江都路秀山里
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