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脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜
脉冲激光沉积系统
GaN材料
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文献信息
篇名 Cu/TiN/Si(100)异质结的脉冲激光沉积与性能
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 Cu/TiN/Si 异质结 脉冲激光沉积法 TIN
年,卷(期) 1995,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15-16
页数 2页 分类号 TN304.82
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
Cu/TiN/Si
异质结
脉冲激光沉积法
TIN
研究起点
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电子材料快报
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天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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