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一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析
光电子器件
电光调制器
锗硅
异质结能带
应变Si/(001)Si1-x Gex电子迁移率
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率
AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应
异质结
电子迁移率
压力效应
新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究
双异质结高电子迁移率晶体管
电流崩塌
热电子效应
自加热效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 极高电子迁移率Si/SiGe调制掺杂异质结
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 电子迁移率 SI/SIGE 调制 掺杂 异质结
年,卷(期) 1995,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8-9
页数 2页 分类号 TN304
字数 语种
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1995(0)
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研究主题发展历程
节点文献
电子迁移率
SI/SIGE
调制
掺杂
异质结
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
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