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极高电子迁移率Si/SiGe调制掺杂异质结
极高电子迁移率Si/SiGe调制掺杂异质结
作者:
晓晔
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电子迁移率
SI/SIGE
调制
掺杂
异质结
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篇名
极高电子迁移率Si/SiGe调制掺杂异质结
来源期刊
电子材料快报
学科
工学
关键词
电子迁移率
SI/SIGE
调制
掺杂
异质结
年,卷(期)
1995,(7)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
8-9
页数
2页
分类号
TN304
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SI/SIGE
调制
掺杂
异质结
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电子材料快报
主办单位:
天津电子材料研究所
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月刊
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CN:
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出版地:
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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创刊时间:
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576
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