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H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?
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文献信息
| 篇名 | 在600℃采用MOCVD法外延生长BaTiO3薄膜 | ||
| 来源期刊 | 电子材料快报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | MOCVD法 外延生长 BATIO3 半导体薄膜 光学器件 | ||
| 年，卷（期） | dzclkb_1995,（11） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 13-14 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.2 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD法
外延生长
BATIO3
半导体薄膜
光学器件
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
主办单位：
天津电子材料研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
576
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1
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