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摘要:
本文在对CRT偏转线圈进行实测的基础上,运用南开大学丁守谦教授发明的双线圈加测试原理并将其加以推广,使双线圈测在测量磁场参数H2、H4、V2、V4时,沿X轴或Y轴能以任意步长进行测量,并根据偏转线圈的特殊形状,当测头越接近开口部,沿X轴或Y轴的测点也越多、跨距也越大,这样 就克服了所测数据只适应近轴范围的不足,充分发挥了双线圈回归测试原理适应较远轴范围的特性。
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文献信息
篇名 CRT偏转线圈结构设计中的磁场测量与控制
来源期刊 彩色显像管 学科 工学
关键词 阴极射线管 偏转线圈 结构设计 磁场测量
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 7-12
页数 6页 分类号 TN140.83
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节点文献
阴极射线管
偏转线圈
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磁场测量
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