用GaAs光电阴极的电子轰击CCD像增强器

• 作者: Enloe,W
• 来源期刊: 云光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电阴极 砷化镓 CCD 像增强器
• 年，卷（期）: ygjs_1996,（4）
• 页码范围: 13-21
• 页数: 9页
• 分类号: TN203

摘要

ＩＴＴ为了开发新一代像增强器，正在进行一项研究计划。它采用以电子轰击方式工作的电荷耦合器件（ＣＣＤ）以便直接探测来自ＧａＡｓ光电阴极的光电子。这类像增强器兼有微通道板（ＭＣＰ）像管的典型信噪比水平和二极管的调制传递函数（ＭＴＦ）指标，并产生与标准视频显示器兼容的电子学输出。第一个成功的、用ＧａＡｓ光阴极的电子轰击式ＣＣＤ（ＥＢ－ＣＣＤ）像增强器是１９９１年８月验证的，光阴极采用了ＩＴＴ的标准负电子