基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
研究了掺磷、硼的NPN型电子器件的反向击穿电压BVCEO、BVCBO和放大系数HFE和^60Co γ射线辐照下受到的影响,用辐射引起的点缺陷对获得的实验结果进行了讨论和解释。
推荐文章
不同类型双极晶体管抗辐照性能的研究
双极晶体管
电离总剂量效应
退火
氧化物正电荷
界面态
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应
NPN双极晶体管
60Coγ辐照
基区掺杂浓度
低剂量率辐照损伤增强效应
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应
NPN双极晶体管
60Coγ辐照
偏置
低剂量率辐照损伤增强
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 γ辐照对晶体管电学参数的影响
来源期刊 核农学通报 学科 工学
关键词 Γ辐照 电学参数 点缺陷 晶体管
年,卷(期) 1996,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 75-76
页数 2页 分类号 TN32
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1996(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Γ辐照
电学参数
点缺陷
晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核农学通报
双月刊
1001-1676
11-2266/S
16开
北京市5109信箱
1980
chi
出版文献量(篇)
725
总下载数(次)
61072
总被引数(次)
4439
论文1v1指导