等离子增强型化学气相淀积氮化硅的刻蚀

• 作者: 唐元洪
• 来源期刊: LSI制造与测试
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子 氮化硅 刻蚀 PECVD IC
• 年，卷（期）: lsizzycs_1996,（5）
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.982

摘要

本文研究了目前在生产线在上使用的ＤＫ－Ｐ２００型等离子干法刻蚀设备各项刻蚀参数对刻蚀效果的影响。报告了典型刻蚀工艺条件，对刻蚀速率随折射率而变化给出了新的解释。