光敏有机硅聚合物的低压力等离子体沉积

• 作者: Hage.,MS 沙石
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 化学
• 关键词: 低压力 等离子体沉积 光敏 有机硅 聚合物
• 年，卷（期）: 1996,（3）
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: O635.1

摘要

单基取代的有机硅前身的等离子体沉积能够导致一些层含有广延的Ｓｉ－Ｓｉ键合的主键。娄这些膜同时暴露于紫外线和氧时，Ｓｉ－Ｓｉ健裂开，氧进入形成Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ聚合物链。证明这些膜可以用低压力直流等离子体源沉积。由Ｘｅ和甲基硅烷的电子激发产生了等离子体，而用一轴向磁场约束基片表面附近的等离子体。等离子体粒子能量较低（１０－２０ｅＶ），而且分散小。这样限制了不希望有的气相反应的产生。在低压力及相应的低沉积