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采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜
金属有机化学汽相沉积
ZnO薄膜
半导体材料
用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料
分子束外延
砷化镓衬底
铝镓砷材料
碱性溶液中电缆水树的生长特性与预修复效果研究
交联聚乙烯电缆
碱性溶液
水树
生长特性
预修复
抑制作用
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用LPE在预沉积Al的GaAs(100)上溶液生长InGaAlP
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 LPE生长 GAAS INGAALP
年,卷(期) 1996,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 6-7
页数 2页 分类号 TN304.23
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节点文献
半导体
LPE生长
GAAS
INGAALP
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电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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