积分C—V法测量杂质纵向分布均匀的硅外延层电阻率

• 作者: 程元生
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 硅外延层电阻率 积分C-V法 均匀
• 年，卷（期）: 1997,（2）
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12

摘要

本文提出了积分Ｃ－Ｖ法，它适用于杂质纵向分布均匀的外延层电阻率的测量。该方法简便。在上述外延层上，微分Ｃ－Ｖ法、Ｃ－Ｖ法和本法－积分Ｃ－Ｖ，实验结果三方法吻合良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程元生		1	0	0.0	0.0