多孔硅光致发光机理探索

• 作者: 周亚训
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 量子限制效应 表面态
• 年，卷（期）: 1997,（1）
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12

摘要

本文研究并提出了一个兼量子限制效应和表面态作用的综合发光机理:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒能隙提高,光激发产生的电子、空穴对经局域在量子线上激子态复合和表面态复合两条依赖于多孔硅具体表面状态的途径回到基态。该发光机理可定性地解释多孔硅光致发光实验现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周亚训	宁波大学物理系	91	510	10.0	19.0