体硅和SOI材料及器件辐中固技术评述

• 作者: 张文肃 武筠
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射加固 CMOS SOI 体硅 集成电路
• 年，卷（期）: bdtzz,（1）
• 页码范围: 20-25
• 页数: 6页
• 分类号: TN432

摘要

介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文肃		1	0	0.0	0.0
2	武筠		1	0	0.0	0.0