HL—1M装置第一壁的硅化和锂涂复

• 作者: 张年满 王恩耀
• 来源期刊: 四川真空
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化 锂涂复 等离子体杂质 氢再循环 聚变装置
• 年，卷（期）: 1997,（2）
• 页码范围: 28-36
• 页数: 9页
• 分类号: TL63

摘要

分别用１０％ＳｉＨ４＋９０％Ｈｅ辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法对Ｈ－１Ｍ装置的内壁进行了硅化和锂涂复，进一步降低了装置硼化后的杂质和辐射功率损失，对氢有强轴气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入，低混杂波电流驱动等物理实验取得重大成果提供了重要条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王恩耀		30	56	5.0	6.0
2	张年满		22	49	4.0	6.0