非晶硅锗单结电池的研究

• 作者: 孙建 王广才
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 电池 非晶硅锗 单结电池 p/i界面 i/n界面
• 年，卷（期）: 1997,（3）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 8页
• 分类号: TM911.21

摘要

ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａ－ＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２．０１％的ａ－ＳｉＧｅ单结电池。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	67	311	10.0	14.0
2	王广才	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	5	5	1.0	2.0