中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究

• 作者: 刘键 王文华
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 中子辐照 正电子湮没 快速退火 砷化镓
• 年，卷（期）: 1997,（3）
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23

摘要

用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘键	北京科技大学材料物理系	1	0	0.0	0.0
2	王文华	中科院高能物理所	1	0	0.0	0.0