VDMOS场效应管及其特点分析

• 作者: 张克善 张品福
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直导电 双扩散型 场效应管 VDMOS
• 年，卷（期）: bdtzz_1997,（3）
• 页码范围: 39-44
• 页数: 6页
• 分类号: TN386

摘要

阐述了垂直导电双扩散型ＶＤＭＯＳ管的发展概况，分析了ＶＤＭＯＳ管的结构特点，工作原理，特性曲线，主要参数，归纳了它的技术特点和优势，最后介绍了在电力电子技术，计算机，音响等方面的应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张克善		4	2	1.0	1.0
2	张品福		3	0	0.0	0.0