改善深亚微米光刻图形质量的途径

• 作者: 姚汉民 罗先刚
• 来源期刊: LSI制造与测试
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子学 相移掩模 光刻 IC
• 年，卷（期）: 1997,（4）
• 页码范围: 4-12
• 页数: 9页
• 分类号: TN405.7

摘要

本文对目前用于提高亚半微以影光刻机成像分辨力、增大焦深的一些新技术；大数值孔径和短波长技术、倾斜照明技术、相移掩模技术、光瞳波技术，多焦面曝光技术以及表面成技术的和现状作了较为详细的阐述，提出了增大０．３５μｍ图表的分辨力和焦深的途径。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚汉民	中国科学院光电技术研究所	44	355	9.0	16.0
2	罗先刚	中国科学院光电技术研究所	52	315	9.0	15.0