三星推出合并式1M DRAM逻辑器件

• 来源期刊: 电脑采购
• 学科: 经济
• 关键词: 逻辑器件 专用集成电路 随机存取存贮器 大规模生产 芯片系统 设计技术 合并 系统功能 三星电子 技术制作
• 年，卷（期）: dncg_1997,（6X）
• 页码范围: 9-9
• 页数: 1页
• 分类号: F764.6

摘要

【正】 韩国三星电子有限公司运用新一代“单一芯片系统”(SCO)设计技术,首次制成一种合并式DRAM逻辑器件(MDL)原型,并即将实现规模生产。此种MDL80产品是将1-2兆节动态随机存取存贮器(DRAM)和采用0.5微米处理技术制作的专用集成电路(ASIC)器件溶成一体。它可依靠3.3或5.0伏电源工作,与普通ASIC相兼容,并可用于各种增值型产品。这种器件定于今年3月开始大规模生产。处于崛起中的MDL芯片市场在1996年的营业额达1亿美元,今年预计增长一倍,而到1998年将达8亿美元。随着此器件用途的推广,年需求额将扶摇直上,到本世纪末至少达30亿美元。将存贮器和非存贮器元件合并在单一芯片上,就可省掉数据在两个芯片间传输的时间。整个处理速度因而得以提高,系统功能得以改进。同时,由于无需采用输出入终端,能