纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象

• 作者: 何宇亮 余明斌 刘明 奚中和 彭英才 李月霞
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 量子功能 共振隧道 薄膜二极管
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: TN311.5

摘要

利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足够小，同样会发生量子功能作用，估计了室温范围呈出这种量子功能作用的可能性。