氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

• 作者: 王伟
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 低频噪声 截面陷阱 背面吸杂 MOS场效应管
• 年，卷（期）: bdtzz,（1）
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1

摘要

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量，将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱进行比较发现，器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低，相长时间吸杂则噪声趋势，探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明，器件的低频噪声是由载流子对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致Ｓｉ－ＳｉＯ２的应力衰竭，进而改变了截面陷阱的能量分布。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟		3	3	1.0	1.0