硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究

• 作者: 彭海鲸 赵寿南
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 应力 烧结 光弹性 晶闸管
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 3060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1998.01.008

摘要

参考热弹性理论和复合材料层间应力理论,研究了Si片/Al箔/Mo片烧结后的层间应力及硅片中的应力.热膨胀性能不同引起的热应力在硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样,推导出适用于边缘区域的应力计算表达式.用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图.理论能较好地解释实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭海鲸	华南理工大学应用物理系	1	1	1.0	1.0
2	赵寿南	华南理工大学应用物理系	3	3	1.0	1.0