多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

• 作者: 余明斌 王建农 胡宝宏 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 薄层 淀积 结构
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 页码范围: 331-334
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.1998.04.001

摘要

采用HFCVD生长法, 以较低生长温度, 在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层. 用XRD、 VASE、 XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能. XRD显示薄层具有明显的择优取向特征. VASE测量出薄层的折射率为2.686, 光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构. XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比, 其能谱证明C 1s与Si 2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	余明斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	8	79	5.0	8.0
3	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
4	马剑平	西安理工大学自动化与信息工程学院	19	114	7.0	10.0
5	雷天民	西安理工大学自动化与信息工程学院	17	78	5.0	8.0
6	胡宝宏	香港科技大学物理系	4	31	2.0	4.0