聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响

• 作者: 张济龙
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 界面 硅 二氧化硅 聚酰亚胺 四甲基氢氧化胺
• 年，卷（期）: 1998,（2）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.12

摘要

通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张济龙	西南农业大学基础科技学院物理系	8	42	3.0	6.0