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摘要:
用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐-Y2 SiO5单晶体.使用设备是一台中频感应加热炉.文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2 SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好.
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文献信息
篇名 稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 激光晶体 引上法晶体生长 正硅酸盐
年,卷(期) 1998,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 43-46
页数 分类号 O7
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐军 中国科学院上海光学精密机械研究所 290 2418 22.0 34.0
2 张守都 中国科学院上海光学精密机械研究所 6 36 4.0 6.0
3 王浩炳 中国科学院上海光学精密机械研究所 4 34 4.0 4.0
4 陈杏达 中国科学院上海光学精密机械研究所 4 22 2.0 4.0
5 张顺兴 中国科学院上海光学精密机械研究所 7 77 5.0 7.0
6 钟鹤裕 中国科学院上海光学精密机械研究所 4 44 3.0 4.0
7 王四亭 中国科学院上海光学精密机械研究所 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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引上法晶体生长
正硅酸盐
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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