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三甲基铟对MOCVD生长的In0.5Al0.5P和In0.5Al0.5As外延层纯度的影响
三甲基铟对MOCVD生长的In0.5Al0.5P和In0.5Al0.5As外延层纯度的影响
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | 三甲基铟对MOCVD生长的In0.5Al0.5P和In0.5Al0.5As外延层纯度的影响 | ||
| 来源期刊 | 有色与稀有金属国外动态 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 三甲基铟 MOCVD InAlP INP 外延层纯度 | ||
| 年，卷（期） | 1998,（6） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 3-4 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN304.23 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
三甲基铟
MOCVD
InAlP
INP
外延层纯度
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相关学者/机构
期刊影响力
有色与稀有金属国外动态
主办单位：
北京有色金属研究总院
出版周期：
半月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
北京市新街口外大街2号603室
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
498
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