制作GaAs／AlGaAS纳米结构的原地电子束工艺

• 作者: Ishik.,T 赵培福
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米结构 原地处理 电子束 砷化镓 铝镓砷
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 50-65
• 页数: 16页
• 分类号: TN304.23

摘要

本文描述用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体制作２维和／或３维纳米尺度的异质结构的技术要求，除了有纳米精度的制作能力外，工艺过程必须避免不希望的污染和任何的损伤效应，为了满足这些要求，我们已经研制出原地电子束（ＥＢ）工艺，在一个超高真空的环境中相继地完成了该工艺的所有过程，包括ＥＢ平版印刷技术，图案蚀刻和外延附晶生长，讨论了这种技术的现况，即纳米尺度图案制作，处理表面清洁度以及损伤特性，也证实了目前正透彻研究自