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摘要:
采用离子束增强沉积方法,在p型(100)单晶硅衬底上,通过不同能量的氙离子辅助轰击,以不同的沉积速率制备了Ti-B超硬薄膜.X射线衍射分析结果表明,Ti-B薄膜呈TiBx多晶结构,其晶化程度随蒸发速率的不同而变化,而其缺位值x随氙离子轰击能量的不同而变化.超显微硬度的测试结果表明,氙离子束能量为60keV,沉积速率为0.6nm/s时,可以获得性能最佳的Ti-B超硬薄膜,其本征硬度在测试负荷为5 mN时达28.6 GPa,超过了TiB体材料的硬度水平,是衬底硅片的3.2倍.利用SEM观察了Ti-B薄膜的横断面,并讨论了工艺参数对Ti-B超硬薄膜韧性的影响.
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文献信息
篇名 Ti-B超硬薄膜的合成及其显微结构和显微硬度的研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 离子束增强沉积 超显微硬度 Ti-B超硬薄膜
年,卷(期) 1998,(3) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 170-175
页数 6页 分类号 TB4
字数 3541字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.03.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡珣 上海交通大学国家教委高温材料及高温测试开放实验室 76 873 16.0 25.0
2 周平南 上海交通大学国家教委高温材料及高温测试开放实验室 5 25 3.0 5.0
3 李莹 上海交通大学国家教委高温材料及高温测试开放实验室 17 87 4.0 9.0
4 杨晓豫 上海交通大学国家教委高温材料及高温测试开放实验室 4 72 4.0 4.0
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离子束增强沉积
超显微硬度
Ti-B超硬薄膜
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