半导体不对称重混结中极子基态

• 作者: 江光佐 胡佐文
• 来源期刊: 教学与科技
• 学科: 物理学
• 关键词: 极子 不对称重混结 声子界面 半导体
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O471

摘要

研究不对称重混结中极子基态。用微扰法及中心层度函数计算极子的束缚能和有效质量。考虑到电子一声子的相互作用，我们既引入纵向光学又引入了声子界面，其结果与在对称重混结中的差异较大声子界面的贡献较在对称重混结中大且更宽。其原因是由于其结构的不对称性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江光佐	西南交通大学物理系	20	90	4.0	9.0
2	胡佐文	中国工程物理研究院职工工学院	21	13	2.0	3.0