双相复合生长大直径（Φ40）碲镉汞晶体

• 作者: 刘克岳 王金义
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 晶体生长 双相复合 垂直结晶
• 年，卷（期）: bdtzz_1998,（3）
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.26

摘要

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法）阐述了该方法的生长机理和生长过程，分析了生长过程了影响晶体生长的因素，总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长，低温梯度下慢速生长，生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Φ４０ｍｍ）大单晶面积（４－１０ｃｍ＾２）径向组分均匀（△ｘ≤±０．００３），光电性能良好（７７Ｋ，ｎｉ≤５×１０＾

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘克岳		1	0	0.0	0.0
2	王金义		1	0	0.0	0.0