硫化参数对多晶FeS2薄膜形成的作用

• 作者: 刘茂森 孟亮 涂江平
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化 FeS2 多晶薄膜 太阳能材料
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 322-326
• 页数: 5页
• 分类号: TM91
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.1998.03.019

摘要

研究了硫化温度及硫化时间对合成FeS2薄膜材料的影响规律.结果表明,在400-600℃对磁控溅射制备的纯Fe膜硫化10-30h,可以得到接近等轴状且具有一定择优取向的多晶FeS2薄膜.在400℃硫化10h条件下,FeS2即能够以较快速率生成,随硫化温度升高或硫化时间延长,FeS2生成速率便不再明显上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂江平	浙江大学材料科学与工程系	82	1603	23.0	38.0
2	孟亮	浙江大学材料科学与工程系	74	680	15.0	21.0
3	刘茂森	浙江大学材料科学与工程系	11	235	10.0	11.0